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硅碳棒的阻抗分析

点击次数:   更新时间:19/04/10 16:59:04     来源:www.guitanbangcj.com关闭分    享:
  对设备的使用,一定要尽量地了解它的性能以及相关的知识,对硅碳棒来说也是一样的,为了帮助大家更好地了解和使用此产品,本文想与大家分享的是它的阻抗分析,下面我们一起来看一下。
  由于采用高纯H:作阳极气体,阳极极化可以忽略,EIS的变化可以认为全是由阴极杂质气体的引入带来的。
  与频率无关的总欧姆阻抗,是硅碳棒各部分欧姆阻抗之和,包括膜、催化层、气体扩散层(GDL)、流场、端板的电阻和它们之间的接触电阻。由图8可以看到,通入不同浓度杂质气体之后,与通入纯净空气的欧姆阻抗几乎一致,均在16-18mW之间。而通入SOZ后,图中圆弧的半径增大非常明显,说明电化学阻抗的增加主要不是由欧姆阻抗的变化引起的。
  这个近似于半圆的弧,是与阴极双电层充电过程的电容C和电荷传递阻抗R相关的。总的说来,当SO:通入以后,它的电化学阻抗增大,性能下降。阴极SOZ气体会造成催化剂中毒导致硅碳棒性能h降,且浓度越大,性能下降越明显。SOZ会在电极上产生吸附,当吸附与脱附速率达到平衡时,电压下降到一个平台区。
  在降温时,外部由于接触炉内气氛降温较快,内部降温较慢,此时外部想要急剧收缩而内部却收缩的没那么快,这就也产生了热应力。硅碳棒硅钼棒由于是逐渐升温降温,并且强度要比玻璃大得多,因此不会像玻璃一样炸裂,但是也会产生一定影响,比如说表面的二氧化硅保护膜破裂。
  上文中通过各个方面和情况来介绍了硅碳棒的阻抗,比如解释了它为什么能够在高温条件下工作的原因,以及影响它性能的因素,希望以上的内容能对大家有所帮助。
  小编:Becky